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論文

Screening effect of metal, semiconductor and insulator surfaces on X-ray induced ion desorption from physisorbed CCl$$_{4}$$

馬場 祐治; 関口 哲弘

Photon Factory Activity Report 1997, P. 91, 1997/00

http://ccdb5fs.kek.jp/cgi-bin/img/tiff2gif?199823003+00109

固体表面に吸着した分子の光化学反応の動的課程は、吸着分子と基板表面の相互作用に依存する。そこで本研究では、CCl$$_{4}$$分子を電子物性が大きく異なる金属(Cu),半導体(Si)及び絶縁体(SiO$$_{2}$$)表面に単層物理吸着させ、Cl 1s励起によるフラグメントイオンの脱離過程を調べた。Cu及びSi表面では、Cl 1s電子励起による脱離イオン種はCl$$^{+}$$のみであったが、SiO$$_{2}$$表面からはCCl$$_{3+}$$などの分子イオンの脱離も認められた。これはCCl$$_{3+}$$イオンの移動速度が遅いため、金属及び半導体表面では表面における伝導電子の遮蔽効果(スクリーニング効果)により励起状態またはイオン化状態が脱離前に消失してしまうためと結論した。

論文

Bonding, structure and magnetism of physisorbed and chemisorbed O$$_{2}$$ on Pt(III)

W.Wurth*; J.Stoehr*; P.Feulner*; X.Pan*; K.R.Bauchspiess*; 馬場 祐治; D.Menzel*

Physical Review Letters, 65(19), p.2426 - 2429, 1990/11

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.65.2426
 被引用回数：222 パーセンタイル：97.63(Physics, Multidisciplinary)

白金(III)面に物理吸着、化学吸着した酸素分子の結合状態、立体構造及び磁気的性質を放射光を用いたX線吸着端微細構造(NEXAFS)により調べた。物理吸着、化学吸着いずれの場合も、O$$_{2}$$分子は表面に平行に吸着していることがわかった。化学吸着では、$$pi$$軌道と表面の相互作用が強いため、0-0間の原子間距離が、物理吸着酸素に比べ約0.16$AA$長いことが明らかとなった。

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